شبیه سازی مقاله ۲۰۱۶ طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی در HSPICE


در حال بارگذاری
۲۳ آذر ۱۳۹۶
۰ تومان

شبیه سازی مقاله ۲۰۱۶ طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی در HSPICE

شبیه سازی مقاله ۲۰۱۶ طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی  در نرم افزار HSPICE انجام گرفته است. مقاله بیس، مقاله مربوط به سال ۲۰۱۶ است که در IEEE منتشر شده است. این مقاله توسط کارشناسان موسسه مشاورین پروژه دات آرت شبیه سازی شده است و خروجی های مقاله در نرم افزار بدست آمده است.

شما دانشجویان عزیز میتوانید آموزش شبیه سازی این مقاله را در کمتر از ۳ جلسه (بدون داشتن هیچگونه بیسی از شبیه سازی با نرم افزار HSPICE) بصورت حضوری یا از راه دور فرابگیرید و این مقاله را بعنوان بیس پایان نامه خود قرار دهید. قابل ذکر است که انجام پایان نامه با این بیس را نیز میتوانید با کمک مشاورین پروژه دات آرت به اتمام برسانید.

ترانزیستور های نانولوله کربنی در طراحی حافظه SRAM

با توجه به مشکلاتی که در کاهش مقیاس مدارها به ابعاد زیر میکرون  برای ترانزیستورهای CMOS پیش آمده است، نیاز به استفاده از مواد جدیدی در ساخت ترانزیستورها مطرح شده است. یکی از موادی که  برای استفاده در ترانزیستورها  مطرح است نانولوله کربنی است. ترانزیستور نانولوله کربنی  با توجه به خواص فوق العاده اش مانند رسانندگی بالا، توان مصرفی پایین، تحمل  جریان بالا و قیمت پایین تر بعنوان جایگزین مناسبی برای ترانزیستورهای CMOS میباشد. ترانزیستور نانولوله کربنی  از خواص گرافن لوله شده استفاده میکند و فناوری مورد استفاده در آن نانوتکنولوژی است. ترانزیستور نانولوله کربنی  که اکنون مورد استفاده قرار میگیرند دارای ابعاد زیر ۳۲ نانومتر میباشند که درآینده این ابعاد میتواند بسیار کوچکتر شود.

طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی

طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی

طراحی حافظه SRAM باترانزیستور های نانولوله کربنی

حافظه (RAM (Random Access Memory اصلی ترین و کاربردی ترین نوع حافظه در دنیای کامپیوتر است . روش دستیابی به این نوع از حافظه ها تصادفی است، یعنی میتوان با آدرس دهی به هرخانه دلخواه حافظه دست یابیم. اصولا هر خانه حافظه که بیت نام دارد از تعدادی ترانزیستور و خازن و… تشکیل شده است که دارای دوسطح ولتاژ میباشد و معنای ۰ یا یک را درخود نگه میدارد. در مبحث حافظه RAM دو نوع متفاوت از حافظه به نام های حافظه DRAM, SRAM وجود دارد که تفاوت هایی در طراحی و کارکرد دارند. شما میتوانید با یک سرچ کوچک در گوگل این تفاوت ها را بصورت کامل یادبگیرید.

در مقاله بیس عنوان شده، سعی در طراحی حافظه SRAM با تعدادی ترانزیستور نانولوله کربنی  شده است که شکل مدار پیشنهادی بصورت زیر میباشد. این مدار برای یک بیت از حافظه SRAM میباشد و نتیجه میگیریم که برای یک حافظه ۱ گیگابایت نیاز به میلیون ها ترانزیستور نانولوله کربنی  میباشد. با توجه به اینکه حجم فیزیکی و توان مصرفی این ترانزیستورهای نانولوله کربنی کمتر از ترانزیستورهای سی ماوس میباشد، میتوان به ساخت حافظه های بزرگ کم مصرف با حجمی کوچکتر امیدوار بود.

طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی

طراحی حافظه SRAM با ترانزیستور نانولوله کربنی گرافنی

خرید
 راهنمای خرید:
  لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.