ترجمه مقاله اکسید گرافن نوع p و پوشش ضدانعکاسی در سلول خورشیدی گرافن/سیلیکون


در حال بارگذاری
۳ آذر ۱۳۹۷
27 بازدید
۰ تومان

ترجمه مقاله اکسید گرافن به عنوان یک ناخالصی نوع p و یک لایه‌ی پوششی ضدانعکاسی در سلول‌های خورشیدی گرافن/سیلیکون

 

ثابت شده که با لایه‌نشانی اکسید گرافن (GO) بر روی سلول‌های خورشیدی مبتنی بر پیوندگاه شاتکیِگرافن-سیلیکون (Gr-Si)، بازدهی تبدیل انرژیِ (PCE) سلول، بهبود یافته و در عین حال سلول مذکور پایداری بی سابقه‌‌ای از خود نشان می‌دهد. بازدهی (PCE) سلول خورشیدیِ Gr/Si با یک لایه‌ی پوششی از اکسید گرافن (GO) به ۱۰.۶% افزایش یافت. بازدهی این سلول با بازدهی به دست آمده از سلول خورشیدیِ Gr/Si بدون پوشش گرافنی که ۳.۶% بود، مقایسه شد. ناخالصی نوع p از اکسید گرافن که به عنوان یک پوشش ضد انعکاسی(ARC) عمل می‌کند، یک فاکتور اساسی برای افزایش بازدهی سلول می‌باشد. از یک روش ساده‌ی لایه‌نشانی چرخشی برای لایه‌نشانی اکسید گرافن (GO) با ضخامتی متناسب با لایه‌ی ضدانعکاسی استفاد شد. روش تهیه‌ی این سلول نشان داد که  ساخت آن برای توسعه در ابعاد بزرگ‌تر نیز مناسب است.

خرید
 راهنمای خرید:
  لینک دانلود فایل بلافاصله بعد از پرداخت وجه به نمایش در خواهد آمد.
  همچنین لینک دانلود به ایمیل شما ارسال خواهد شد به همین دلیل ایمیل خود را به دقت وارد نمایید.
  ممکن است ایمیل ارسالی به پوشه اسپم یا Bulk ایمیل شما ارسال شده باشد.
  در صورتی که به هر دلیلی موفق به دانلود فایل مورد نظر نشدید با ما تماس بگیرید.