ترجمه مقاله اکسید گرافن نوع p و پوشش ضدانعکاسی در سلول خورشیدی گرافنسیلیکون

12,000 تومان

مقایسه

توضیحات

توجه: در صورت تمايل به خريد، مبلغ را به شماره کارت ۶۰۳۷۶۹۱۶۵۶۲۷۱۰۶۱ بنام محمد امين داودابادي فراهاني واريز نماييد و پيامک واريز را به شماره تلفن ۰۹۱۸۵۲۶۳۸۹۶ ارسال نماييد تا سريعا فايل برايتان ارسال گردد

ثابت شده که با لایه‌نشانی اکسید گرافن (GO) بر روی سلول‌های خورشیدی مبتنی بر پیوندگاه شاتکیِ[۱] گرافن-سیلیکون (Gr-Si)، بازدهی تبدیل انرژیِ (PCE) سلول، بهبود یافته و در عین حال سلول مذکور پایداری بی سابقه‌‌ای از خود نشان می‌دهد. بازدهی (PCE) سلول خورشیدیِ Gr/Si با یک لایه‌ی پوششی از اکسید گرافن (GO) به ۱۰٫۶% افزایش یافت. بازدهی این سلول با بازدهی به دست آمده از سلول خورشیدیِ Gr/Si بدون پوشش گرافنی که ۳٫۶% بود، مقایسه شد. ناخالصی نوع p از اکسید گرافن که به عنوان یک پوشش ضد انعکاسی[۲] (ARC) عمل می‌کند، یک فاکتور اساسی برای افزایش بازدهی سلول می‌باشد. از یک روش ساده‌ی لایه‌نشانی چرخشی[۳] برای لایه‌نشانی اکسید گرافن (GO) با ضخامتی متناسب با لایه‌ی ضدانعکاسی استفاد شد. روش تهیه‌ی این سلول نشان داد که  ساخت آن برای توسعه در ابعاد بزرگ‌تر نیز مناسب است.

نقد و بررسی‌ها

هیچ دیدگاهی برای این محصول نوشته نشده است.

اولین کسی باشید که دیدگاهی می نویسد “ترجمه مقاله اکسید گرافن نوع p و پوشش ضدانعکاسی در سلول خورشیدی گرافنسیلیکون”

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *